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SIHH21N65E-T1-GE3-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源逆变系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子设备。
- 商品型号
- SIHH21N65E-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133719
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 133W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |
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