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SIHH21N65E-T1-GE3-HXY
SIHH21N65E-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源逆变系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子设备。
- 商品型号
- SIHH21N65E-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133719
- 商品封装
- DFN-5B(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
参数完善中
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