GD2X30MPS06N-HXY

GD2X30MPS06N-HXY

描述

该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA，体现出优异的导通特性与阻断性能。其浪涌正向电流（IFSM）能力达600A，适用于高频开关电源、高功率密度变换器及对热稳定性和动态响应要求较高的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

GD2X30MPS06N-HXY

商品编号

C53133714

商品封装

SOT-227​

包装方式

管装

商品毛重

40.133333克(g)