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IPD65R380C6BTMA1-HXY
SiC功率N沟道增强型MOSFET，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，可在较高电压与电流条件下实现较低的导通损耗。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的耐高温性能和快速开关能力，适用于高频率、高效率的功率变换系统，如开关电源、DC-DC转换模块及可再生能源逆变装置，有助于提升整体能效与系统紧凑性。
- 商品型号
- IPD65R380C6BTMA1-HXY
- 商品编号
- C52098369
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
商品特性
- 低电容高速开关
- 高阻断电压，低导通电阻
- 易于并联
- 驱动简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 直流-交流逆变器
- 高压直流/直流转换器
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