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IPD65R380C6ATMA1-HXY
SiC功率N沟道增强型MOSFET，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持标准驱动电路，确保开关动作的稳定性。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关电源、高效直流变换器及高功率密度电源模块，能够在较高结温下可靠运行，适用于对能效和空间利用率有较高要求的电力转换应用。
- 商品型号
- IPD65R380C6ATMA1-HXY
- 商品编号
- C52098370
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
商品特性
- 低电容高速开关
- 高阻断电压，低导通电阻
- 易于并联
- 驱动简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 直流-交流逆变器
- 高压直流/直流转换器
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