IPD65R380C6ATMA1-HXY

IPD65R380C6ATMA1-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持标准驱动电路，确保开关动作的稳定性。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关电源、高效直流变换器及高功率密度电源模块，能够在较高结温下可靠运行，适用于对能效和空间利用率有较高要求的电力转换应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R380C6ATMA1-HXY

商品编号

C52098370

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)