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MSJU11N65A-HXY
SiC功率N沟道增强型MOSFET，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、易并联、易驱动、符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源耐压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了可靠的开关控制与驱动兼容性。采用宽禁带半导体材料碳化硅，具备优异的高温工作性能与开关特性，适用于高功率密度、高频开关电源系统，如高效能交直流转换模块、可再生能源发电设备中的功率调节单元以及高要求的电力变换装置。
- 商品型号
- MSJU11N65A-HXY
- 商品编号
- C52098371
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
商品特性
- 低电容高速开关
- 低导通电阻（RDS(on)）高阻断电压
- 易于并联
- 驱动简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 直流-交流逆变器
- 高压直流/直流转换器
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