MSJU11N65A-HXY

MSJU11N65A-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源耐压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了可靠的开关控制与驱动兼容性。采用宽禁带半导体材料碳化硅，具备优异的高温工作性能与开关特性，适用于高功率密度、高频开关电源系统，如高效能交直流转换模块、可再生能源发电设备中的功率调节单元以及高要求的电力变换装置。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MSJU11N65A-HXY

商品编号

C52098371

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)