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IPD65R380E6ATMA1-HXY
SiC功率N沟道增强型MOSFET，高速开关、低电容、耐压高、导通电阻低、易并联、易驱动、符合RoHS标准
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至260mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定驱动与安全关断。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关环境，常见于高效电源转换电路、不间断电源系统、可再生能源发电单元以及高功率密度DC-DC变换器中，满足对热性能和转换效率要求较高的设计需求，有助于实现紧凑型、高可靠性电源方案。
- 商品型号
- IPD65R380E6ATMA1-HXY
- 商品编号
- C52098367
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
商品特性
- 低电容高速开关
- 高阻断电压与低导通电阻
- 易于并联
- 驱动简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 直流-交流逆变器
- 高压直流/直流转换器
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