IPD65R380E6ATMA1-HXY

IPD65R380E6ATMA1-HXY

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至260mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定驱动与安全关断。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关环境，常见于高效电源转换电路、不间断电源系统、可再生能源发电单元以及高功率密度DC-DC变换器中，满足对热性能和转换效率要求较高的设计需求，有助于实现紧凑型、高可靠性电源方案。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R380E6ATMA1-HXY

商品编号

C52098367

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)