FCD360N65S3R0-HXY

FCD360N65S3R0-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了器件在高频开关应用中的稳定驱动与可靠性。得益于碳化硅材料的优异特性，该器件具有出色的耐压能力、较低的开关损耗和良好的热稳定性，适合应用于高密度电源系统、可再生能源逆变装置及高性能DC-DC转换器中，满足对小型化与高效能有较高要求的电路方案。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCD360N65S3R0-HXY

商品编号

C52098365

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)