温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTD360N65S3H-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易并联、易驱动，符合RoHS标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频、高温及高功率密度的工作环境。典型应用包括高效能电源模块、可再生能源逆变装置、大功率开关电源以及高性能电力转换系统等。
- 商品型号
- NTD360N65S3H-HXY
- 商品编号
- C52098364
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
商品特性
- 低电容高速开关
- 高阻断电压，低导通电阻
- 易于并联
- 驱动简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 直流-交流逆变器
- 高压直流/直流转换器
相似推荐
其他推荐
- FCD360N65S3R0-HXY
- STD18N65M2-EP-HXY
- IPD65R380E6ATMA1-HXY
- IPD65R380E6BTMA1-HXY
- IPD65R380C6BTMA1-HXY
- IPD65R380C6ATMA1-HXY
- MSJU11N65A-HXY
- IPD60R360P7S-HXY
- IPD60R400CEAUMA1-HXY
- NVD360N65S3T4G-HXY
- IPD60R385CP-HXY
- STD16N65M2-HXY
- IPD60R360PFD7S-HXY
- MSJU11N65-HXY
- R6511KND3TL1-HXY
- R6511END3TL1-HXY
- IPD60R380P6-HXY
- IPD65R420CFDA-HXY
- HCD65R320-HXY
- FL06320A-HXY
- NTPF250N65S3H-HXY