NTD360N65S3H-HXY

NTD360N65S3H-HXY

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频、高温及高功率密度的工作环境。典型应用包括高效能电源模块、可再生能源逆变装置、大功率开关电源以及高性能电力转换系统等。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTD360N65S3H-HXY

商品编号

C52098364

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)