SPA15N60C3XKSA1-HXY

SPA15N60C3XKSA1-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持常规驱动电路设计。得益于碳化硅半导体材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关电源、高压直流变换、不间断电源及可再生能源逆变系统等应用，能够在高电压、高功率密度环境下稳定工作，满足对热性能和能效有较高要求的电力电子设计方案。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPA15N60C3XKSA1-HXY

商品编号

C52098328

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)