温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CDMSJ22010-650SL-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具有15A的漏极电流（ID）和650V的漏源电压（VDSS），导通电阻为260mΩ，支持-5V至+16V的栅源电压（VGS）范围，确保良好的开关控制与器件可靠性。得益于碳化硅材料的高临界电场和热导率，该器件具备优异的耐压性能、高频工作能力及高温稳定性。适用于高功率密度的电力电子系统，如高效能电源转换装置、可再生能源发电中的逆变设备、高压直流变换模块及紧凑型开关电源设计，适合对系统效率和热管理有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- CDMSJ22010-650SL-HXY
- 商品编号
- C52098343
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
相似推荐
其他推荐
- AOTF18N65L
- MSJPF11N65A-BP-HXY
- AOTF11S65L
- SPA11N60C3-HXY
- SPA11N65C3-HXY
- SM360R65CT2TL-HXY
- IPA60R280C6XKSA1-HXY
- FCPF11N60T-HXY
- IPA60R360P7S-HXY
- STF20NM65N-Y11-HXY
- MSJPF11N65-BP-HXY
- R6511KNXC7G-HXY
- R6511ENXC7G-HXY
- IPAW60R380CE-HXY
- IPAN60R360PFD7S-HXY
- IPAN60R360P7S-HXY
- HCS65R380S-FM-HXY
- HCS65R320S-FM-HXY
- FF06320A-HXY
- FL06250A-HXY
- NTD360N65S3H-HXY