CDMSJ22010-650SL-HXY

CDMSJ22010-650SL-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有15A的漏极电流（ID）和650V的漏源电压（VDSS），导通电阻为260mΩ，支持-5V至+16V的栅源电压（VGS）范围，确保良好的开关控制与器件可靠性。得益于碳化硅材料的高临界电场和热导率，该器件具备优异的耐压性能、高频工作能力及高温稳定性。适用于高功率密度的电力电子系统，如高效能电源转换装置、可再生能源发电中的逆变设备、高压直流变换模块及紧凑型开关电源设计，适合对系统效率和热管理有较高要求的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CDMSJ22010-650SL-HXY

商品编号

C52098343

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)