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MSJPF11N65-BP-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围，确保可靠的栅极驱动控制与器件稳定性。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关能力、耐高温性能及较低的反向恢复电荷。适用于高效率开关电源、直流变换模块、光伏逆变单元及高功率密度电源系统，适合在高频率、高热应力环境下工作的电力电子电路中使用。
- 商品型号
- MSJPF11N65-BP-HXY
- 商品编号
- C52098354
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
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