IPAN60R360PFD7S-HXY

IPAN60R360PFD7S-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定的驱动控制。依托碳化硅材料的高耐压、低开关损耗特性，该器件适用于高频高压工作环境，典型应用包括高效开关电源、大功率DC-DC变换器、不间断电源、储能系统中的功率转换模块以及高性能逆变设备，能够满足对能效、热管理和空间利用率有较高要求的电源设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPAN60R360PFD7S-HXY

商品编号

C52098358

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)