R6511KNXC7G-HXY

R6511KNXC7G-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定的栅极驱动控制，增强开关可靠性。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温工作能力、高开关频率特性和低开关损耗。适用于高功率密度电源转换系统，如高效开关电源、直流-直流变换器、不间断电源模块及可再生能源发电中的逆变装置，适合在高热应力与高频运行条件下稳定工作的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6511KNXC7G-HXY

商品编号

C52098355

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)