R6511ENXC7G-HXY

R6511ENXC7G-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能，该器件可在较高温度和电压环境下可靠运行，适用于高频电源、开关模式电源、DC-DC转换器及高密度电源模块等应用场合，有助于提升系统整体能效并减小被动元件体积。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6511ENXC7G-HXY

商品编号

C52098356

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)