AOTF18N65L

SiC功率MOSFET N沟道增强型，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极控制。得益于碳化硅材料的高耐压与高热导特性，该器件适用于高频率、高效率的电源转换系统，如开关电源、DC-DC变换器、光伏逆变单元及高密度电源模块，能在高温环境下保持优异的电气性能，提升系统整体能效与功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOTF18N65L

商品编号

C52098344

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)