SPA11N60C3-HXY

SPA11N60C3-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定的开关控制与驱动兼容性。采用宽禁带半导体材料，具备优异的高温工作性能与开关特性，可显著降低系统开关损耗。典型应用包括高频率DC-DC变换器、高功率密度电源模块及高效能逆变电路，适合对热管理与能效有严格要求的紧凑型电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPA11N60C3-HXY

商品编号

C52098347

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)