SPA11N65C3-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强型，高速开关、低电容、低导通电阻

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温稳定性、高开关速度和低开关损耗，适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用涵盖高密度电源适配器、大功率开关电源、可再生能源发电系统中的逆变单元及储能系统的功率调节模块。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPA11N65C3-HXY

商品编号

C52098348

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)