温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STF20NM65N-Y11-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的栅极控制特性与开关稳定性。采用宽禁带半导体材料，可实现高频工作、降低开关损耗，并提升系统热性能。典型应用于高密度电源、可再生能源逆变系统、服务器电源模块及高功率密度适配器等场景，适合对能效和空间利用率有较高要求的电路架构。
- 商品型号
- STF20NM65N-Y11-HXY
- 商品编号
- C52098353
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
相似推荐
其他推荐
- MSJPF11N65-BP-HXY
- R6511KNXC7G-HXY
- R6511ENXC7G-HXY
- IPAW60R380CE-HXY
- IPAN60R360PFD7S-HXY
- IPAN60R360P7S-HXY
- HCS65R380S-FM-HXY
- HCS65R320S-FM-HXY
- FF06320A-HXY
- FL06250A-HXY
- NTD360N65S3H-HXY
- FCD360N65S3R0-HXY
- STD18N65M2-EP-HXY
- IPD65R380E6ATMA1-HXY
- IPD65R380E6BTMA1-HXY
- IPD65R380C6BTMA1-HXY
- IPD65R380C6ATMA1-HXY
- MSJU11N65A-HXY
- IPD60R360P7S-HXY
- IPD60R400CEAUMA1-HXY
- NVD360N65S3T4G-HXY