STF20NM65N-Y11-HXY

STF20NM65N-Y11-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的栅极控制特性与开关稳定性。采用宽禁带半导体材料，可实现高频工作、降低开关损耗，并提升系统热性能。典型应用于高密度电源、可再生能源逆变系统、服务器电源模块及高功率密度适配器等场景，适合对能效和空间利用率有较高要求的电路架构。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF20NM65N-Y11-HXY

商品编号

C52098353

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)