IPA60R360P7S-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易并联、驱动简单，符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压为650V，连续漏极电流达15A，导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定的栅极驱动与器件控制。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高温工作能力、高频开关性能及抗热失效特性，适用于高功率密度电源系统。典型应用场景包括高效开关电源、不间断电源（UPS）、可再生能源逆变装置、高密度电源适配器以及储能系统的功率转换电路。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA60R360P7S-HXY

商品编号

C52098352

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.718克(g)