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SM360R65CT2TL-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、低导通电阻、易并联、易驱动
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关环境，具备良好的热稳定性。典型应用包括高效能电源转换装置、高功率密度DC-DC变换器、不间断电源中的逆变电路，以及对能效和散热要求较高的紧凑型电力电子设备。
- 商品型号
- SM360R65CT2TL-HXY
- 商品编号
- C52098349
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
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