STF14NM65N-HXY

STF14NM65N-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定的开关特性与可靠的栅极控制。采用碳化硅材料，提升了器件的耐压能力与开关速度，可有效降低系统损耗。广泛用于高功率密度电源转换装置，如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块，适合对热性能和电气性能有严苛要求的场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF14NM65N-HXY

商品编号

C52098341

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)