FCPF380N65FL1-F154-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定可靠的栅极控制。采用碳化硅材料，提升了器件的耐压能力与开关速度，可有效降低系统损耗。广泛应用于高密度电源、可再生能源逆变装置及高效能DC-DC转换器中，适合对热性能与空间布局有严苛要求的场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCPF380N65FL1-F154-HXY

商品编号

C52098338

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)