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STF15NM65N-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易并联和驱动，符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持可靠的栅极驱动控制，提升开关稳定性。采用碳化硅半导体材料，具有优异的高温工作性能和快速开关特性，适用于高频率、高效率的功率变换电路。典型应用包括高效电源模块、可再生能源发电系统、储能设备中的逆变电路以及对热管理与空间利用率要求较高的紧凑型电子装置。
- 商品型号
- STF15NM65N-HXY
- 商品编号
- C52098340
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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