FCPF11N65-HXY

FCPF11N65-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，在高温与高电压工作环境下仍能保持良好性能。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定栅极驱动控制。碳化硅材料的应用显著提升了器件的开关速度与耐热性，有助于减小系统能量损耗。适用于高效率电源转换设备、不间断电源系统、太阳能逆变模块及紧凑型高频功率电路设计，满足对功率密度与长期可靠性要求较高的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCPF11N65-HXY

商品编号

C52098339

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)