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FCPF11N65-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、耐压高、导通电阻低，易并联和驱动，符合RoHS标准
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，在高温与高电压工作环境下仍能保持良好性能。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定栅极驱动控制。碳化硅材料的应用显著提升了器件的开关速度与耐热性，有助于减小系统能量损耗。适用于高效率电源转换设备、不间断电源系统、太阳能逆变模块及紧凑型高频功率电路设计，满足对功率密度与长期可靠性要求较高的应用场景。
- 商品型号
- FCPF11N65-HXY
- 商品编号
- C52098339
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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