温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTPF360N65S3H-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，器件适用于高频、高压工作环境，广泛用于高效开关电源、可再生能源发电逆变装置、数据中心电源模块及高功率密度电力转换系统，满足对散热性能和空间利用率有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- NTPF360N65S3H-HXY
- 商品编号
- C52098337
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
相似推荐
其他推荐
- FCPF380N65FL1-F154-HXY
- FCPF11N65-HXY
- STF15NM65N-HXY
- STF14NM65N-HXY
- STFU15NM65N-HXY
- CDMSJ22010-650SL-HXY
- AOTF18N65L
- MSJPF11N65A-BP-HXY
- AOTF11S65L
- SPA11N60C3-HXY
- SPA11N65C3-HXY
- SM360R65CT2TL-HXY
- IPA60R280C6XKSA1-HXY
- FCPF11N60T-HXY
- IPA60R360P7S-HXY
- STF20NM65N-Y11-HXY
- MSJPF11N65-BP-HXY
- R6511KNXC7G-HXY
- R6511ENXC7G-HXY
- IPAW60R380CE-HXY
- IPAN60R360PFD7S-HXY