NTPF360N65S3H-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，器件适用于高频、高压工作环境，广泛用于高效开关电源、可再生能源发电逆变装置、数据中心电源模块及高功率密度电力转换系统，满足对散热性能和空间利用率有较高要求的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTPF360N65S3H-HXY

商品编号

C52098337

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)