STFU16N65M2-HXY

STFU16N65M2-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定的开关控制与驱动兼容性。采用宽禁带半导体材料，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。典型应用包括高频开关电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高可靠性电力转换装置，适合对热性能与空间布局有严苛要求的场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STFU16N65M2-HXY

商品编号

C52098335

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)