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STFU16N65M2-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强型，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻、易并联、易驱动、符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定的开关控制与驱动兼容性。采用宽禁带半导体材料，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。典型应用包括高频开关电源、光伏逆变系统、高密度电源模块及高可靠性电力转换装置，适合对热性能与空间布局有严苛要求的场景。
- 商品型号
- STFU16N65M2-HXY
- 商品编号
- C52098335
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
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