FCPF360N65S3R0L-F154-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、低导通电阻、易并联、易驱动、符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持可靠驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高频开关能力与高温工作稳定性。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源、储能系统中的逆变电路，以及对功率密度和热管理要求较高的紧凑型电力电子装置。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCPF360N65S3R0L-F154-HXY

商品编号

C52098336

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)