STFU18N65M2-HXY

STFU18N65M2-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的开关特性和热稳定性。得益于碳化硅材料的优异特性，该器件可在高频、高温及高压环境下稳定工作，广泛用于电源变换器、太阳能逆变系统及高密度电源模块中，有助于提升系统整体能效并减小体积。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STFU18N65M2-HXY

商品编号

C52098332

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)