STF16N65M2-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易并联、易驱动，符合RoHS标准

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至260mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，确保栅极驱动的稳定性与安全性。依托碳化硅材料的高临界电场和热导率优势，该器件支持高频开关操作，具备出色的热稳定性和耐压能力，适用于高功率密度电源转换装置，如高效开关电源、高压直流变换器及可再生能源发电系统的逆变单元。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF16N65M2-HXY

商品编号

C52098334

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)