STF15N65M5-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的耐高温性能与高频开关能力，适用于高效率直流变换、高压电源转换及紧凑型功率模块设计，在提升系统能效的同时，有助于减小无源元件体积与整体散热需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF15N65M5-HXY

商品编号

C52098333

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)