STF18N65M2-HXY

STF18N65M2-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，兼容主流驱动电路。碳化硅材料赋予器件优异的高频、高压工作能力及良好的热导性能，适用于高效率开关电源、大功率DC-DC变换器、光伏并网逆变系统、储能电源模块等高密度功率应用，有助于提升系统转换效率，减小无源器件体积与散热设计复杂度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF18N65M2-HXY

商品编号

C52098331

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)