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STF18N65M2-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易并联和驱动，符合RoHS标准
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，兼容主流驱动电路。碳化硅材料赋予器件优异的高频、高压工作能力及良好的热导性能，适用于高效率开关电源、大功率DC-DC变换器、光伏并网逆变系统、储能电源模块等高密度功率应用，有助于提升系统转换效率，减小无源器件体积与散热设计复杂度。
- 商品型号
- STF18N65M2-HXY
- 商品编号
- C52098331
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
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