AOTF15S65L

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、易并联、易驱动、符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了驱动兼容性与工作稳定性。得益于碳化硅材料优异的开关特性与耐高温性能，该器件可在高频、高压环境下可靠运行，广泛用于开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等应用场合，有助于提升系统整体能效并减小散热设计负担。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AOTF15S65L

商品编号

C52098329

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)