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R6515ENXC7G-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，在高温与高电压工况下仍能保持优异的导通性能。栅源电压范围-5V至+16V，支持标准驱动电路兼容。基于碳化硅材料的特性，器件具备低开关损耗、高工作频率和良好热稳定性，适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、直流变换模块、可再生能源发电逆变装置及高功率密度电源单元，有助于提升系统能效并减少散热需求。
- 商品型号
- R6515ENXC7G-HXY
- 商品编号
- C52098330
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
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