SIHA14N60E-E3-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易并联、易驱动，符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，确保稳定的栅极控制与器件可靠性。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高频、高温工作性能，适用于高效率电源转换拓扑。典型应用场景包括高压直流变换器、大功率开关电源、可再生能源逆变装置及高密度功率模块设计，有助于提升系统整体能效与功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHA14N60E-E3-HXY

商品编号

C52098323

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)