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IPA65R280C6XKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、低导通电阻
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，确保驱动稳定性与器件可靠性。得益于碳化硅材料的高耐压与低反向恢复电荷特性，该器件适用于高频开关环境。典型应用包括高效能电源模块、高压直流变换装置、可再生能源发电逆变系统以及高功率密度开关电源设计，适合对热性能和转换效率有较高要求的电力电子应用场合。
- 商品型号
- IPA65R280C6XKSA1-HXY
- 商品编号
- C52098325
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
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