IPA65R280C6XKSA1-HXY

IPA65R280C6XKSA1-HXY

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，确保驱动稳定性与器件可靠性。得益于碳化硅材料的高耐压与低反向恢复电荷特性，该器件适用于高频开关环境。典型应用包括高效能电源模块、高压直流变换装置、可再生能源发电逆变系统以及高功率密度开关电源设计，适合对热性能和转换效率有较高要求的电力电子应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R280C6XKSA1-HXY

商品编号

C52098325

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)