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STF19NM65N-HXY实物图
  • STF19NM65N-HXY商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STF19NM65N-HXY

STF19NM65N-HXY

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描述
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能，器件在高频、高压工作条件下仍能保持较低损耗，广泛应用于高效电源变换器、可再生能源发电系统及高密度电源模块中，适合对能效和功率密度有较高要求的场景。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
STF19NM65N-HXY
商品编号
C52098326
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

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