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R6515KNXC7G-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强型，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、易并联、易驱动、符合RoHS标准
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压和15A的连续漏极电流能力，导通电阻典型值为260mΩ，在高电压工作条件下可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定驱动与可靠关断。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，器件具备出色的耐高温性能和快速开关响应能力，适用于高频、高压的电力转换应用。典型使用场景包括高效能电源系统、高压直流变换装置、光伏逆变单元及高功率密度开关电源设计，有助于提升整体效率并优化热管理布局。
- 商品型号
- R6515KNXC7G-HXY
- 商品编号
- C52098322
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
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