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WSJM65R260XQ-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源击穿电压，连续漏极电流达15A，导通电阻典型值为260mΩ，在高温与高频工作环境下仍能保持优异的导电性能。栅源电压范围为-5V至+16V，确保了器件的稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。适用于高功率密度电源转换装置，如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块，可有效提升系统效率并减小散热设计负担。
- 商品型号
- WSJM65R260XQ-HXY
- 商品编号
- C52098320
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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