WSJM65R260XQ-HXY

WSJM65R260XQ-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源击穿电压，连续漏极电流达15A，导通电阻典型值为260mΩ，在高温与高频工作环境下仍能保持优异的导电性能。栅源电压范围为-5V至+16V，确保了器件的稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。适用于高功率密度电源转换装置，如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块，可有效提升系统效率并减小散热设计负担。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

WSJM65R260XQ-HXY

商品编号

C52098320

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)