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SI7308DN-T1-E3-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款SI7308DN-T1-E3-MS是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN3X3-8L小型封装，适合空间受限的高效能应用。器件具备60V的高耐压VDSS和20A连续电流ID处理能力，确保在高电压大电流环境下稳定工作。其导通电阻RD(on)仅为31mR，有效降低了功耗，提高了整体电路效率。广泛应用在开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是设计高效、节能方案的理想半导体元件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7308DN-T1-E3-MS
- 商品编号
- C51908784
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SI7308DN-T1-E3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V ID = 15 A
- RDS(ON)< 40 m Ω@VGS=10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源