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AOTL66912-MS
AOTL66912-MS
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- 描述
- 此款AOTL66912-MS场效应管采用1个N沟道设计，应用了先进的大电流TOLL封装，以高电流承载与优异导通性能为核心优势：100V漏源击穿电压VDSS搭配350A最大漏极电流ID，可稳定应对高功率负载需求；1.4mΩ 低导通电阻RDON有效降低能量损耗，提升电能转换效率。器件采用成熟工艺设计，保障高负载条件下的稳定性与耐久性，广泛适配高效电源变换装置、储能管理系统、智能电力设备及高性能计算平台等场景，精准满足对电能转换效率与系统可靠性有高要求的应用需求。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AOTL66912-MS
- 商品编号
- C51908856
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
AOTL66912-MS采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 350A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 2 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 电源分配