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IPT015N10NF2SATMA1-MS
采用先进SGT MOSFET技术的N沟道MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 此款IPT015N10NF2SATMA1-MS场效应管采用1个N沟道设计，应用了先进的大电流TOLL封装，兼具优异电学性能与良好热稳定性100V漏源电压VDSS搭配350A最大漏极电流ID，可稳定承载大功率需求1.4mΩ低导通电阻RDON从核心参数层面降低能量损耗。器件依托先进封装与制造工艺，实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行，广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景，精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- IPT015N10NF2SATMA1-MS
- 商品编号
- C51908857
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 14.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.12nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IPT015N10NF2SATMA1-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 350A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 2 mΩ
应用领域
-电池保护-电源分配