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MSCEP023N10LL
采用沟槽SGT技术的N沟道增强型功率场效应晶体管，具备改善的dv/dt能力、快速开关和100% EAS保证，适用于高效快速开关应用
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- 描述
- 此款MSCEP023N10LL场效应管采用1个N沟道设计，应用了先进的大电流TOLL封装，兼具优异电学性能与良好热稳定性100V漏源电压VDSS搭配300A最大漏极电流ID，器件依托先进封装与制造工艺，实现高频率、大功率条件下的高效导通与低损耗运行，广泛适配高性能电源转换系统、储能设备、智能电网装置及计算硬件等场景，精准满足复杂电路中对电流控制与能效优化的高要求(NCEP023N10LL)。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSCEP023N10LL
- 商品编号
- C51908859
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽SGT技术。这项先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 100V,VGS = 10V时,RDS(ON) = 1.9mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保型器件可供选择
应用领域
-网络-负载开关-LED应用-快速充电器