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IPG20N06S4L-26-MS
IPG20N06S4L-26-MS
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- 描述
- 此款IPG20N06S4L-26-MS场效应管采用2个N沟道设计，精准匹配高功率密度与大电流应用需求；60V 额定电压搭配单通道 50A 连续电流能力，可稳定承载多场景功率需求，尤其适配高效电源转换、电动单车电池管理系统及电机驱动场景。器件凭借卓越能效表现与可靠开关性能，为高功率电子设计提供稳定高效的功率控制方案。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- IPG20N06S4L-26-MS
- 商品编号
- C51908848
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1714克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
IPG20N06S4L-26-MS采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 50 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 14 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用