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IPG20N06S4L-26-MS

采用先进SGT MOSFET技术的双N沟道MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 此款IPG20N06S4L-26-MS场效应管采用2个N沟道设计，精准匹配高功率密度与大电流应用需求；60V 额定电压搭配单通道 50A 连续电流能力，可稳定承载多场景功率需求，尤其适配高效电源转换、电动单车电池管理系统及电机驱动场景。器件凭借卓越能效表现与可靠开关性能，为高功率电子设计提供稳定高效的功率控制方案。
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: IPG20N06S4L-26-MS
商品编号: C51908848
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1714克(g)

商品参数

IPG20N06S4L-26-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。