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BSC123N08NS3G-MS

采用先进SGT MOSFET技术的N沟道MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性

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描述: 此款BSC123N08NS3G-MS场效应管采用1个N沟道设计，采用 DFN5X6-8L紧凑型封装，精准适配现代高效能电子设备设计需求；核心亮点在于 100V 高漏源电压（VDSS）与75A连续漏极电流的强承载组合，搭配 7.3mΩ低导通电阻带来的卓越导通性能，即使在大电流应用环境下，也能稳定维持低功耗与高效能，为高功率场景提供可靠功率控制支持
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: BSC123N08NS3G-MS
商品编号: C51908849
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1687克(g)

商品参数

BSC123N08NS3G-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件专门设计以获得更好的耐用性,适用于