BSC123N08NS3G-MS
BSC123N08NS3G-MS
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- 描述
- 此款BSC123N08NS3G-MS场效应管采用1个N沟道设计,采用 DFN5X6-8L紧凑型封装,精准适配现代高效能电子设备设计需求;核心亮点在于 100V 高漏源电压(VDSS)与75A连续漏极电流的强承载组合,搭配 7.3mΩ低导通电阻带来的卓越导通性能,即使在大电流应用环境下,也能稳定维持低功耗与高效能,为高功率场景提供可靠功率控制支持
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSC123N08NS3G-MS
- 商品编号
- C51908849
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1687克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BSC123N08NS3G-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件专门设计以获得更好的耐用性,适用于
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用
