我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
BSC123N08NS3G-MS实物图
  • BSC123N08NS3G-MS商品缩略图
  • BSC123N08NS3G-MS商品缩略图
  • BSC123N08NS3G-MS商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC123N08NS3G-MS

BSC123N08NS3G-MS

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
此款BSC123N08NS3G-MS场效应管采用1个N沟道设计,采用 DFN5X6-8L紧凑型封装,精准适配现代高效能电子设备设计需求;核心亮点在于 100V 高漏源电压(VDSS)与75A连续漏极电流的强承载组合,搭配 7.3mΩ低导通电阻带来的卓越导通性能,即使在大电流应用环境下,也能稳定维持低功耗与高效能,为高功率场景提供可靠功率控制支持
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
BSC123N08NS3G-MS
商品编号
C51908849
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1687克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品概述

BSC123N08NS3G-MS采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件专门设计以获得更好的耐用性,适用于

商品特性

  • 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 75 A
  • 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ

应用领域

  • 消费电子电源
  • 电机控制
  • 同步整流
  • 隔离式直流电源
  • 同步整流应用

数据手册PDF