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CSD25402Q3A-MS
CSD25402Q3A-MS
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- 描述
- 此款CSD25402Q3A-MS场效应管采用1个P沟道设计，采用 DFN3X3-8L精巧封装，实现电路空间高效利用；20V 额定电压（VDSS）搭配48A连续漏极电流（ID），彰显超强电流处理能力，而 7.5mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势，能显著提升系统能效、减小功率损耗。器件广泛适配电源切换、电池保护等场景，凭借卓越性能与紧凑封装设计，成为高功率密度应用的理想半导体选择。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- CSD25402Q3A-MS
- 商品编号
- C51908851
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1004克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
CSD25402Q3A-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -60A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源