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CSD25402Q3A-MS
CSD25402Q3A-MS
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- 描述
- 此款CSD25402Q3A-MS场效应管采用1个P沟道设计，采用 DFN3X3-8L精巧封装，实现电路空间高效利用；20V 额定电压（VDSS）搭配48A连续漏极电流（ID），彰显超强电流处理能力，而 7.5mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势，能显著提升系统能效、减小功率损耗。器件广泛适配电源切换、电池保护等场景，凭借卓越性能与紧凑封装设计，成为高功率密度应用的理想半导体选择。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- CSD25402Q3A-MS
- 商品编号
- C51908851
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1004克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
CSD25402Q3A-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -60A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源