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BSZ130N03LS-MS
BSZ130N03LS-MS
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- 描述
- 此款BSZ130N03LS-MS场效应管采用1个N沟道设计采用DFN3X3-8L封装，精准匹配高功率密度与中高电流应用需求；30V 额定电压搭配 30A 连续电流承载能力，可稳定应对多场景功率需求，尤其适配电源转换、电池管理系统及紧凑型电子设备。器件兼具卓越导通性能与高效散热表现，为现代电子系统提供可靠的功率开关解决方案，是该类应用的理想选择,可替代BSZ130N03LS G
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSZ130N03LS-MS
- 商品编号
- C51908852
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这些 N 型沟道逻辑级 MOSFET 是采用先进的“电源沟槽”工艺制造而成的，该工艺经过特别优化，旨在最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合低电压和电池供电的应用场合，因为它们在这些应用中需要低的在线功率损耗和快速的开关速度。
商品特性
- VDS = 30 V ID = 30 A
- RDS(ON)< 13 m Ω@VGS=10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源