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BSZ130N03LS-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款BSZ130N03LS-MS场效应管采用1个N沟道设计采用DFN3X3-8L封装，精准匹配高功率密度与中高电流应用需求；30V 额定电压搭配 30A 连续电流承载能力，可稳定应对多场景功率需求，尤其适配电源转换、电池管理系统及紧凑型电子设备。器件兼具卓越导通性能与高效散热表现，为现代电子系统提供可靠的功率开关解决方案，是该类应用的理想选择,
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSZ130N03LS-MS
- 商品编号
- C51908852
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.106607克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BSZ130N03LS-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V ID = 30 A
- RDS(ON)< 13 m Ω@VGS=10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源