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SI7114DN-T1-E3-MS实物图
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SI7114DN-T1-E3-MS

SI7114DN-T1-E3-MS

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描述
此款SI7114DN-T1-E3-MS场效应管采用1个N沟道设计,采用 DFN3X3-8L紧凑型封装,精准适配高功率密度与高效能应用设计需求;30V漏源电压VDSS为基础,搭配低至6mΩ的导通电阻RDS与高达60A的漏极电流ID承载能力,实现 “低损耗 + 高电流” 的性能协同,有效降低功耗的同时保障强功率输出。器件广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景,凭借卓越的电流处理能力与能效表现,成为优化系统性能、提升节能效果的重要半导体元件。
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
SI7114DN-T1-E3-MS
商品编号
C51908853
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0994克(g)

商品参数

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参数完善中

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