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SI7114DN-T1-E3-MS
SI7114DN-T1-E3-MS
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- 描述
- 此款SI7114DN-T1-E3-MS场效应管采用1个N沟道设计，采用 DFN3X3-8L紧凑型封装，精准适配高功率密度与高效能应用设计需求；30V漏源电压VDSS为基础，搭配低至6mΩ的导通电阻RDS与高达60A的漏极电流ID承载能力，实现 “低损耗 + 高电流” 的性能协同，有效降低功耗的同时保障强功率输出。器件广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景，凭借卓越的电流处理能力与能效表现，成为优化系统性能、提升节能效果的重要半导体元件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7114DN-T1-E3-MS
- 商品编号
- C51908853
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0994克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- VDS = 30 V ID = 60 A
- RDS(ON)< 8 m Ω@VGS=10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源