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SI7114DN-T1-E3-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 此款SI7114DN-T1-E3-MS场效应管采用1个N沟道设计，采用 DFN3X3-8L紧凑型封装，精准适配高功率密度与高效能应用设计需求；30V漏源电压VDSS为基础，搭配低至6mΩ的导通电阻RDS与高达60A的漏极电流ID承载能力，实现 “低损耗 + 高电流” 的性能协同，有效降低功耗的同时保障强功率输出。器件广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景，凭借卓越的电流处理能力与能效表现，成为优化系统性能、提升节能效果的重要半导体元件。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI7114DN-T1-E3-MS
- 商品编号
- C51908853
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0994克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SI7114DN-T1-E3-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V ID = 60 A
- RDS(ON)< 8 m Ω@VGS=10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源