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STL6P3LLH6-MS

采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用

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描述: 此款STL6P3LLH6-MS场效应管采用1个P沟道设计,采用 DFN3X3-8L 小型封装，精准匹配高集成度与节能设计需求；30V 电压额定值（VDSS）搭配 25A 连续漏极电流（ID），保障强大且稳定的电流处理能力，而 16mΩ 超低导通电阻（RD (on)）是其核心优势，能显著降低系统损耗、提升整体能效。器件广泛适配电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是构建高效绿色电子产品的理想选择。
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: STL6P3LLH6-MS
商品编号: C51908850
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1克(g)

商品参数

STL6P3LLH6-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

-电池保护-负载开关-不间断电源