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AON6354-MS

采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 此款AON6354-MS场效应管为N沟道设计，采用 DFN5X6-8L 紧凑型封装，兼具小型化与高效散热优势，特别适配高集成度电路设计；30V 额定电压（VDSS）搭配 150A 连续电流（ID）处理能力，展现卓越电力传输性能，2mΩ 超低导通电阻显著提升系统能效、降低功耗，为高功率场景提供高效稳定的功率控制方案。
品牌名称: MSKSEMI(美森科)
商品型号: AON6354-MS
商品编号: C51908846
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1811克(g)

商品参数

AON6354-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

-电池保护-负载开关-不间断电源