温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFH7932PBF-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款IRFH7932PBF-MS场效应管N沟道设计，150A高电流承载能力搭配30V电压承受能力，双重保障高功率场景稳定运行；2mΩ 典型内阻有效降低能量损耗，20V VGS 设计降低驱动难度、提升控制便捷性。器件广泛适配电源管理、马达控制、信号放大等高性能电子设备，为系统效率与可靠性升级提供有力支撑
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- IRFH7932PBF-MS
- 商品编号
- C51908847
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1809克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IRFH7932PBF-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ,VGS = 10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
- IPG20N06S4L-26-MS
- BSC123N08NS3G-MS
- STL6P3LLH6-MS
- CSD25402Q3A-MS
- BSZ130N03LS-MS
- SI7114DN-T1-E3-MS
- AOTL66912-MS
- IPT015N10NF2SATMA1-MS
- MS8003L-TOLL8
- MSCEP023N10LL
- ST2045-MS
- US2DB-MS
- 2mm*16mm*200mm-M35
- 2mm*12mm*200mm-M35
- 2mm*10mm*200mm-M35
- 2mm*8mm*200mm-M35
- 2mm*6mm*200mm-M35
- 2mm*5mm*200mm-M35
- 2mm*3mm*200mm-M35
- 2mm*4mm*200mm-M35
- 2mm*2mm*200mm-M35